Kínai tudósok a Fudan Egyetemről egy új memóriatípust fejlesztettek ki, a PoX-ot. Ez a technológia egyesíti a rendkívüli sebességet azzal a képességgel, hogy adatmegőrzésre képes áramellátás nélkül is, ami jelentős előrelépést jelenthet a számítástechnikai eszközök világában.
A Nature tudományos folyóiratban publikált eredmények szerint a PoX írási sebessége elérheti a 400 pikoszekundumot. Ez másodpercenként nagyjából 25 milliárd műveletet jelent, ami akár tízezerszer gyorsabb lehet a jelenlegi laptopokban található átlagos tárolóknál.
Napjaink memóriái, mint a DRAM és az SRAM, gyorsak, de elveszítik tartalmukat áramszünet esetén. A flash memória (pl. SSD) megőrzi az adatokat, de lassabb lehet nagy terhelésnél, mint amilyet például a mesterséges intelligencia működtetése igényel. A PoX ezt a kettősséget oldja fel a szilícium helyett kétdimenziós grafént használva alapanyagként.
A grafén kiváló töltéstranszport tulajdonságai teszik lehetővé az úgynevezett „szuperinjekciót”, ami a memóriacellák feltöltését drámaian felgyorsítja. A Csou Peng vezette kutatócsoport mesterséges intelligenciát is bevetett a tervezés optimalizálására, hogy a technológia elérje az elméleti teljesítményhatárt.
A PoX legfőbb újdonsága, hogy ötvözi a RAM sebességét a flash memória adatmegőrző képességével. Ez jelentős energiamegtakarítást hozhat számos eszközben, az okostelefonoktól a szerverekig, és akár feleslegessé teheti a statikus memóriák (SRAM) használatát a jövőben. Bár a technológia még kísérleti fázisban van, és a hosszú távú megbízhatósága kérdéses, sikeres bevezetése alapjaiban változtathatja meg a memóriát használó eszközök piacát.
